图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BTS282Z |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 49V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 240µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 232nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-7 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 300W |
| 匹配代码 | BTS282Z E3180A |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 0.5K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TO220-7 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 232nC |
| LLRDS （上） | 0.0095Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 49V |
| 技术 | Tempfet |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0065Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 240µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 49V |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-7-180 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 232nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BTS282ZE3180AINDKR |
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